Антава

INFINEON

Транзистор IPB042N10N3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Drain-source voltage
100 V
Pulsed drain current
400 A
Power dissipation
214 W
Корпус
D2PAK-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB042N10N3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Drain-source voltage100 V
Pulsed drain current400 A
Power dissipation214 W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge88nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 400A; 214W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.