INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор IPB040N08NF2SATMA1
Фото недоступно- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 80V
- Drain current
- 107A
- Power dissipation
- 150W
- Корпус
- D2PAK, TO263
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | IPB040N08NF2SATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 80V |
| Drain current | 107A |
| Power dissipation | 150W |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| On-state resistance | 4mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 54nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.