Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPB040N08NF2SATMA1

IPB040N08NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
107A
Power dissipation
150W
Корпус
D2PAK, TO263

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB040N08NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current107A
Power dissipation150W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.