INFINEON

Транзистор IPB039N10N3 G

TO263-7Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 160 A
Pulsed drain current: 640 A
Power dissipation: 214 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPB039N10N3 G
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™
Drain-source voltage	100 V
Drain current	160 A
Pulsed drain current	640 A
Power dissipation	214 W
Корпус	TO263-7
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	3.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	88nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.