Антава

INFINEON

Транзистор IPB039N10N3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Drain-source voltage
100 V
Drain current
160 A
Pulsed drain current
640 A
Power dissipation
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 281 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%605,94 ₽

Сумма · с НДС 22%15 148,50 ₽

От 25 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 25605,94 ₽
от 30495,77 ₽
от 50472,97 ₽
от 100457,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB039N10N3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Drain-source voltage100 V
Drain current160 A
Pulsed drain current640 A
Power dissipation214 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge88nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.