Антава

INFINEON

Транзистор IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 557 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 123,94 ₽

Сумма · с НДС 22%1 123,94 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 123,94 ₽
от 10660,60 ₽
от 50589,88 ₽
от 100560,11 ₽
от 200534,06 ₽
от 500496,84 ₽
от 1000472,65 ₽
от 2000448,46 ₽
от 3000431,71 ₽
от 4000422,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB038N12N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя