Антава

INFINEON

Транзистор IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
180 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB036N12N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current180 A
Power dissipation300 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя