Антава

INFINEON

Транзистор IPB034N06N3GATMA2

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
167 W
Корпус
TO263-7
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB034N06N3GATMA2
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность167 W
КорпусTO263-7
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.