Антава

INFINEON

Транзистор IPB033N10N5LF

IPB033N10N5LF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
108 A
Power dissipation
179 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB033N10N5LF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current108 A
Power dissipation179 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя