Антава

INFINEON

Транзистор IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
160 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 976 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%852,14 ₽

Сумма · с НДС 22%852,14 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1852,14 ₽
от 10559,39 ₽
от 100406,49 ₽
от 250361,74 ₽
от 500331,90 ₽
от 1000303,94 ₽
от 2000281,56 ₽
от 3000275,97 ₽
от 4000272,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB030N08N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current160 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7

Документация

Документ производителя