Антава

INFINEON

Транзистор IPB029N15NM6ATMA1

IPB029N15NM6ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
165 A
Рассеиваемая мощность
395 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB029N15NM6ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current165 A
Рассеиваемая мощность395 W
КорпусDPAK
On-state resistance2.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge105nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 165A; 395W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.