Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPB029N06NF2SATMA1

IPB029N06NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
120A
Power dissipation
150W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB029N06NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current120A
Power dissipation150W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance2.9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 120A; 150W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.