Антава

INFINEON

Транзистор IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 565 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 208,97 ₽

Сумма · с НДС 22%1 208,97 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 208,97 ₽
от 31 059,02 ₽
от 10867,84 ₽
от 50671,03 ₽
от 100646,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB025N10N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7

Документация

Документ производителя