Антава

INFINEON

Транзистор IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB025N10N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7

Документация

Документ производителя