Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPB019N08NF2SATMA1

IPB019N08NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
166A
Power dissipation
250W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB019N08NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current166A
Power dissipation250W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance1.95mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge124nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.