INFINEON

Транзистор IPB019N08N5ATMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 180 A
Power dissipation: 224 W
Корпус: TO263-7

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPB019N08N5ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	180 A
Power dissipation	224 W
Корпус	TO263-7
On-state resistance	2.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	123nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 224W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.