Антава

INFINEON

Транзистор IPB019N08N3G

IPB019N08N3G
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
180A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB019N08N3G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current180A
Power dissipation300W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7

Документация

Документ производителя