Антава

INFINEON

Транзистор IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 414 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%485,46 ₽

Сумма · с НДС 22%485,46 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1485,46 ₽
от 10410,49 ₽
от 50333,64 ₽
от 100298,03 ₽
от 200262,41 ₽
от 1000260,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB019N06L3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя