Антава

INFINEON

Транзистор IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 997 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 351,86 ₽

Сумма · с НДС 22%1 351,86 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 351,86 ₽
от 1000619,06 ₽
от 2000581,77 ₽
от 3000561,25 ₽
от 4000548,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB015N08N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7

Документация

Документ производителя