Антава

INFINEON

Транзистор IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
180 A
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB015N08N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current180 A
Power dissipation375 W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7

Документация

Документ производителя