Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPB015N04NGATMA1

IPB015N04NGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
120A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB015N04NGATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current120A
Power dissipation250W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя