Антава

INFINEON

Транзистор IPB014N04NF2SATMA1

IPB014N04NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Power dissipation
188 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB014N04NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Power dissipation188 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance1.03 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge159nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.