Антава

INFINEON

Транзистор IPB013N06NF2SATMA1

IPB013N06NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
198 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB013N06NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current198 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance1.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge203nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.