Антава

INFINEON

Транзистор IPB012N04NF2SATMA1

IPB012N04NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
197 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB012N04NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current197 A
Power dissipation250 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance1.25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge159nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 197A; 250W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.