Антава

INFINEON

Транзистор IPAN65R650CEXKSA1

IPAN65R650CEXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
10.1 A
Power dissipation
86 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPAN65R650CEXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current10.1 A
Power dissipation86 W
КорпусTO220FP
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge23nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 86W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.