Антава

INFINEON

Транзистор IPA80R750P7XKSA1

IPA80R750P7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.9 A
Power dissipation
26 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPA80R750P7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.9 A
Power dissipation26 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD

Документация

Документ производителя