Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
3.6A
Pulsed drain current
18A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPA80R1K0CEXKSA2
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current3.6A
Pulsed drain current18A
Power dissipation32W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.95Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge31nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP

Документация

Документ производителя