Антава

INFINEON

Транзистор IPA65R660CFDXKSA1

IPA65R660CFDXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
6 A
Power dissipation
27.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPA65R660CFDXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current6 A
Power dissipation27.8 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.66 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP

Документация

Документ производителя