Антава

INFINEON

Транзистор IPA65R190C7XKSA1

IPA65R190C7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8 A
Power dissipation
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPA65R190C7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8 A
Power dissipation30 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP

Документация

Документ производителя