Антава

INFINEON

Транзистор IPA60R099C7XKSA1

IPA60R099C7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ C7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
83 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPA60R099C7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ C7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8 A
Pulsed drain current83 A
Рассеиваемая мощность33 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP

Документация

Документ производителя