Антава

INFINEON

Транзистор IPA126N10NM3SXKSA1

IPA126N10NM3SXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
28 A
Pulsed drain current
156 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPA126N10NM3SXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current28 A
Pulsed drain current156 A
Power dissipation33 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 156A; 33W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.