Антава

INFINEON

Транзистор IPA075N15N3GXKSA1

IPA075N15N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
43 A
Рассеиваемая мощность
39 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 42 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 007,11 ₽

Сумма · с НДС 22%1 007,11 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 007,11 ₽
от 10848,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPA075N15N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current43 A
Рассеиваемая мощность39 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP

Документация

Документ производителя