Антава

INFINEON

Транзистор IPA057N08N3GXKSA1

IPA057N08N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
60 A
Power dissipation
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPA057N08N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current60 A
Power dissipation39 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP

Документация

Документ производителя