Антава

INFINEON

Транзистор IPA057N08N3GXKSA1

IPA057N08N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 76 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%552,94 ₽

Сумма · с НДС 22%552,94 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1552,94 ₽
от 10358,01 ₽
от 50283,03 ₽
от 100258,66 ₽
от 500211,80 ₽
от 1000194,93 ₽
от 1250191,19 ₽
от 1500185,56 ₽
от 2500181,81 ₽
от 4000179,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPA057N08N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current60 A
Рассеиваемая мощность39 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP

Документация

Документ производителя