Антава

INFINEON

Транзистор IPA050N10NM5SXKSA1

IPA050N10NM5SXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
47 A
Pulsed drain current
264 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPA050N10NM5SXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current47 A
Pulsed drain current264 A
Рассеиваемая мощность38 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.