Антава

INFINEON

Транзистор IPA045N10N3GXKSA1

IPA045N10N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
64 A
Рассеиваемая мощность
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 676 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%551,93 ₽

Сумма · с НДС 22%551,93 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1551,93 ₽
от 2501,59 ₽
от 10412,08 ₽
от 50358,01 ₽
от 100335,63 ₽
от 500289,02 ₽
от 1000272,24 ₽
от 1500261,05 ₽
от 2500249,86 ₽
от 3500244,27 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPA045N10N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current64 A
Рассеиваемая мощность39 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP

Документация

Документ производителя