Антава

INFINEON

Транзистор IPA029N06NXKSA1

IPA029N06NXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
84 A
Рассеиваемая мощность
38 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPA029N06NXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current84 A
Рассеиваемая мощность38 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP

Документация

Документ производителя