Антава

INFINEON

Транзистор IPA028N04NM3SXKSA1

IPA028N04NM3SXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
63 A
Pulsed drain current
356 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPA028N04NM3SXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current63 A
Pulsed drain current356 A
Power dissipation38 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.