Антава

INFINEON

Транзистор IMZC120R053M2HXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
38 A
Рассеиваемая мощность
182 W
Корпус
TO247-4
On-state resistance
53 mΩ

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 120 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 159,30 ₽

Сумма · с НДС 22%278 232,00 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 2401 159,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIMZC120R053M2HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current38 A
Рассеиваемая мощность182 W
КорпусTO247-4
On-state resistance53 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge30nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 38A; 182W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.