Антава

INFINEON

Транзистор IMZC120R053M2HXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
38 A
Рассеиваемая мощность
182 W
Корпус
TO247-4
On-state resistance
53 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMZC120R053M2HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current38 A
Рассеиваемая мощность182 W
КорпусTO247-4
On-state resistance53 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge30nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 38A; 182W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.