Антава

INFINEON

Транзистор IMZC120R022M2HXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
329 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 120 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 243,44 ₽

Сумма · с НДС 22%538 425,60 ₽

От 240 шт. · шаг 240

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 2402 243,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIMZC120R022M2HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность329 W
КорпусTO247-4
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge71nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 80A; 329W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.