Антава

INFINEON

Транзистор IMZC120R022M2HXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
329 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMZC120R022M2HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность329 W
КорпусTO247-4
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge71nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 80A; 329W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.