Антава

INFINEON

Транзистор IMZC120R017M2HXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
97 A
Рассеиваемая мощность
382 W
Корпус
PG-TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMZC120R017M2HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current97 A
Рассеиваемая мощность382 W
КорпусPG-TO247-4
On-state resistance17 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge89nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 97A; 382W; PG-TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.