Антава

INFINEON

Транзистор IMZA65R048M1HXKSA1

IMZA65R048M1HXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMZA65R048M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current24 A
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...23 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.