Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IMZA65R048M1H

IMZA65R048M1H
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Drain-source voltage
650V
Drain current
40A
Корпус
TO247
On-state resistance
64mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIMZA65R048M1H
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Drain-source voltage650V
Drain current40A
КорпусTO247
On-state resistance64mΩ
Gate charge33nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.