Антава

INFINEON

Транзистор IMZA65R027M1HXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
41 A
Pulsed drain current
184 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMZA65R027M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current41 A
Pulsed drain current184 A
Рассеиваемая мощность189 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...23 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W

Документация

Документы пока не предоставлены.