Антава

INFINEON

Транзистор IMZA65R027M1H

IMZA65R027M1H
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
650 V
Корпус
TO247
Gate charge
63nC
Kind of channel
enhancement
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 240 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%5 538,91 ₽

Сумма · с НДС 22%16 616,73 ₽

От 3 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 35 538,91 ₽
от 45 404,05 ₽
от 55 320,47 ₽
от 95 174,21 ₽
от 105 155,22 ₽
от 204 566,37 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIMZA65R027M1H
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage650 V
КорпусTO247
Gate charge63nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.