Антава

INFINEON

Транзистор IMZA65R027M1H

IMZA65R027M1H
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
650 V
Корпус
TO247
Gate charge
63nC
Kind of channel
enhancement

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIMZA65R027M1H
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage650 V
КорпусTO247
Gate charge63nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.