Антава

INFINEON

Транзистор IMZ120R090M1HXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
18 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMZ120R090M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current18 A
Pulsed drain current50 A
Рассеиваемая мощность58 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-7...23 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W

Документация

Документы пока не предоставлены.