Антава

INFINEON

Транзистор IMYR140R024M2HXLSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Drain-source voltage
1.4 kV
Drain current
82 A
Рассеиваемая мощность
326 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMYR140R024M2HXLSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Drain-source voltage1.4 kV
Drain current82 A
Рассеиваемая мощность326 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-7...23 V
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.4kV; 82A; 326W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.