Антава

INFINEON

Транзистор IMYR140R019M2HXLSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Drain-source voltage
1.4 kV
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
385 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 120 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 882,79 ₽

Сумма · с НДС 22%691 869,60 ₽

От 240 шт. · шаг 240

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 2402 882,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIMYR140R019M2HXLSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Drain-source voltage1.4 kV
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность385 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-7...23 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.4kV; 100A; 385W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.